显影工艺是怎样?
前工站加工的玻璃进入显影设备,对需要去除的油墨进行化学反应,进行剥离,然后进行表面清洗,形成高精度的油墨3D盖板。显影操作需控制好显影液的温度、传送速度、喷淋压力等参数。
曝光一般在曝光机内进行,目前的曝光机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷,曝光质量取决于除干膜致抗蚀剂、光源选择、曝光时间、菲林胶片质量等因素。曝光步骤是将光线聚焦在光刻胶上,而显影步骤则是将底材浸泡在显影剂中达到消除未曝光区域的目的。通过曝光显影技术,可以在微米尺度上制造出高精度的微电子元器件和芯片。显影液表面停留(puddle):为了让显影液与光刻胶进行充分反应,显影液喷淋后需要在硅片表面停留一般为几十秒到一两分钟。为感光的油墨被显影液去除,通过这样的方式,需要蚀刻的图案显影在钢片上面了。曝光显影可以制造微小的电容、电阻、晶体管、发光二极管或太阳能电池等晶体管器件,快速将电信号转变为其他形式的能量。曝光显影技术可以制造出高精度微纳米级别下的芯片制造工艺,大大提高了芯片质量及其可靠性。预喷淋(p-wet):为了提高后面显影液在硅片表面的附着性能,先在硅片表面喷上一点去离子水(Deionizedwater,DIW)。用负显影工艺可以实现较窄的沟槽,负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中 [1] 。显影液表面停留(puddle):为了让显影液与光刻胶进行充分反应,用负显影工艺可以实现较窄的沟槽,负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中 [1] 。所以的办法是依据显影的干膜光亮程度,图像清晰度,图案线条与底片相符,曝光设备参数和感光性能,确定适合的曝光时间。原文链接:http://www.dhsw.net/chanpin/1878.html,转载和复制请保留此链接。
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